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MXSMLJ8.5AE3
产品参考图片
MXSMLJ8.5AE3
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
二极管TVS,DO-214AB
技术参数:
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
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点击下图下载技术文档
MXSMLJ8.5AE3技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:MXSMLJ8.5AE3
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
系列:军用, MIL-PRF-19500
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向关态(典型值):8.5V
电压 - 击穿(最小值):9.44V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):208.4A
功率 - 峰值脉冲:3000W (3kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时的电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214AB,SMC
供应商器件封装:DO-214AB
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MXSMLJ8.5AE3
,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
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