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TN0106N3-G-P003
产品参考图片
TN0106N3-G-P003
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-92-3
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
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点击下图下载技术文档
TN0106N3-G-P003技术参数详情:
型号:TN0106N3-G-P003
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-92-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 500A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-92-3
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
现在可以订购
TN0106N3-G-P003
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