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TN2106K1-G
产品参考图片
TN2106K1-G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-236AB（SOT23）
技术参数：
MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
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TN2106K1-G技术参数详情：
型号:TN2106K1-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-236AB（SOT23）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:360mW（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）
封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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TN2106K1-G
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