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存储器 - Microchip
Microchip存储器Microchip是已超过20年的存储产品的领先供应商。Microchip的广泛的产品组合,包括串行EEPROM存储器,串行,并行闪存,串行SRAM和NVSRAM。创新的低功率设计和广泛的测试,保证了行业领先的鲁棒性和耐力随着级质量最好。Microchip串行EEPROM具有功耗低,与强大的操作范围内的非易失性存储器设备,体积小和字节变性,使他们理想的数据和程序存储。串行EEPROM的可写1000000次以上。

 

在I2C,SPI,微丝,UNI / O

 

串行闪存

 

单片机的串行接口(SQI四)和SPI闪存与我们的专有制造,高性能CMOS超快闪耀术,显着提高性能(小于25ms擦除块)和可靠性(100年的数据保留)的同时降低功耗。

 

在1.8V在3V和多密度512kb-64mb

 

SQI闪光–到104mhz包括先进的安全特性

 

并行闪存

 

Microchip的多目标并行闪存与我们的专有制造,高性能CMOS超快闪耀术,显着提高性能(小于25ms擦除块)和可靠性(100年的数据保留)的同时降低功耗。

 

在3V和5V和1.8V多密度1mb-64mb

 

卓越的读取性能和安全功能的高级强积金+可用

 

串行SRAM

 

串行SRAM是一个独立的易失性存储器提供设计师添加更多的RAM,其应用的一个简单的和廉价的方式。这些引脚器件具有无限的耐力和零写时代。

 

SPI总线模式,SDI和SQI

 

串行NVSRAM

 

串行NVSRAM提供低成本,非易失性RAM存储通过外部电池是理想的,需要经常写信给存储器的应用。

 

512KB的–1MB

 

电池备份

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CDLL5916C
二极管 - 齐纳 - 单
封装:DO-213AB,MELF
MCP639T-E/ML
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓
产品封装:16-VQFN
MCP1755S-3302E/DB
电源管理IC - 稳压器 - 线性
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MSMCJ11CAE3
TVS - 二极管
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AT25DQ161-MH-Y
存储器
产品封装:8-UDFN
JAN1N3035BUR-1
二极管 - 齐纳 - 单
封装:DO-213AB,MELF(玻璃)
KSZ8091RNBCA-TR
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MPLAD6.5KP20CAE3
TVS - 二极管
封装:非标准型 SMD
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