Microchip是已超过20年的存储产品的领先供应商。Microchip的广泛的产品组合，包括串行EEPROM存储器，串行，并行闪存，串行SRAM和NVSRAM。创新的低功率设计和广泛的测试，保证了行业领先的鲁棒性和耐力随着级质量最好。Microchip串行EEPROM具有功耗低，与强大的操作范围内的非易失性存储器设备，体积小和字节变性，使他们理想的数据和程序存储。串行EEPROM的可写1000000次以上。

 

在I2C，SPI，微丝，UNI / O

 

串行闪存

 

单片机的串行接口（SQI四）和SPI闪存与我们的专有制造，高性能CMOS超快闪耀术，显着提高性能（小于25ms擦除块）和可靠性（100年的数据保留）的同时降低功耗。

 

在1.8V在3V和多密度512kb-64mb

 

SQI闪光–到104mhz包括先进的安全特性

 

并行闪存

 

Microchip的多目标并行闪存与我们的专有制造，高性能CMOS超快闪耀术，显着提高性能（小于25ms擦除块）和可靠性（100年的数据保留）的同时降低功耗。

 

在3V和5V和1.8V多密度1mb-64mb

 

卓越的读取性能和安全功能的高级强积金+可用

 

串行SRAM

 

串行SRAM是一个独立的易失性存储器提供设计师添加更多的RAM，其应用的一个简单的和廉价的方式。这些引脚器件具有无限的耐力和零写时代。

 

SPI总线模式，SDI和SQI

 

串行NVSRAM

 

串行NVSRAM提供低成本，非易失性RAM存储通过外部电池是理想的，需要经常写信给存储器的应用。

 

512KB的–1MB

 

电池备份